[发明专利]光刻胶和方法有效
| 申请号： | 201510187452.X | 申请日： | 2015-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN105093826B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 吴振豪;赖韦翰;张庆裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/00 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有键合至高抗蚀刻部分的将分解的基团的光刻胶。可选地，在将分解的基团已经从聚合物裂解之后，将分解的基团可以额外地附接至将再附接至聚合物的再附接基团。光刻胶也可以包括具有交联位点的非离去单体和交联剂。本发明涉及光刻胶和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻胶，包括：/n烃主链；/n高抗蚀刻结构，通过所述烃主链内的碳原子和所述高抗蚀刻结构的环部分之间的碳-碳键的单链附接至所述烃主链；以及/n将分解的基团，键合至所述高抗蚀刻结构，其中，所述高抗蚀刻结构具有以下结构中的一种：/n
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