[发明专利]光刻胶和方法有效

专利信息
申请号: 201510187452.X 申请日: 2015-04-20
公开(公告)号: CN105093826B 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: 吴振豪;赖韦翰;张庆裕 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F7/004 分类号: G03F7/004;G03F7/00
代理公司: 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 光刻 方法
【权利要求书】:

1.一种光刻胶,包括:

烃主链;

高抗蚀刻结构,通过所述烃主链内的碳原子和所述高抗蚀刻结构的环部分之间的碳-碳键的单链附接至所述烃主链;以及

将分解的基团,键合至所述高抗蚀刻结构,其中,所述高抗蚀刻结构具有以下结构中的一种:

其中,R1是甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团、戊基基团或异戊基基团;以及R3是C1至C3亚烷基链,并且其中,R2具有以下结构中的一种:

其中,R4和R5是亚甲基基团、亚乙基基团、亚丙基基团、亚丁基基团、亚戊基基团、亚异丙基基团或亚异丁基基团,并且其中,R6是将分解的基团。

2.根据权利要求1所述的光刻胶,还包括具有交联位点的非离去单体。

3.根据权利要求2所述的光刻胶,其中,所述交联位点具有以下结构:

其中,R14是H、OH、OCH3、OC2H5、OC3H7、OC4H9、环氧基、CH2OCH3、CH2OC2H5、CH2OC3H7、CH2OC4H9、CH2CH2OCH3、CH2CH2OC2H5、CH2CH2OC3H7或CH2CH2OC4H9,并且其中,R15是C1至C5亚烷基链。

4.根据权利要求3所述的光刻胶,其中,所述将分解的基团具有以下结构:

其中,R18是氢、甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团或异戊基基团,以及R19是环氧基基团、醇基基团、氨基基团或羧酸基基团。

5.根据权利要求2所述的光刻胶,还包括交联剂。

6.根据权利要求5所述的光刻胶,其中,所述交联剂具有以下结构:

其中,R25是氢、环氧基、CH2OCH3、CH2OC2H5、CH2OC3H7、CH2OC4H9、CH2CH2OCH3、CH2CH2OC2H5、CH2CH2OC3H7或CH2CH2OC4H9

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