[发明专利]一种利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器及制作方法有效
| 申请号： | 201510170072.5 | 申请日： | 2015-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104795730B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 林涛;张浩卿;孙航;郭恩民;孙锐娟 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所61214 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器，激光器所用外延片结构由从下至上依次设置的衬底，缓冲层，下限制层，下波导层，量子阱和量子垒区，上波导层，上限制层和上欧姆接触层组成；基模半导体激光器结构的上欧姆接触层的上表面设置有脊型波导，脊型波导位于基模半导体激光器的纵向中心线上，脊型波导的两端均设置有非吸收窗口，非吸收窗口与激光器的出腔面重合，脊型波导的两侧还设置有隔离沟槽，非吸收窗口和隔离沟槽下量子阱中形成禁带宽度变宽的区域，本发明的利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器，具有更好的光场限制效果。本发明还公开了一种制作上述基模半导体激光器的方法，制作工艺简单，且具有更好的光场限制效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 量子 混杂 制作 半导体激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器，其特征在于，激光器所用的外延片结构由从下至上依次设置的衬底(1)、缓冲层(2)、下限制层(3)、下波导层(4)、量子阱和量子垒区(5)、上波导层(6)、上限制层(7)和上欧姆接触层(8)组成；基模半导体激光器结构的纵向中心线上设置有脊型波导(9)，脊型波导(9)的宽度为2～6微米，脊型波导(9)的两端均设置有非吸收窗口(10)，非吸收窗口(10)与激光器的出腔面重合，脊型波导(9)的两侧还设置有隔离沟槽(11)，隔离沟槽(11)的深度等于上欧姆接触层(8)的厚度与上限制层(7)的一部分之和，上限制层(7)的一部分为100～1000微米，隔离沟槽(11)的宽度为5～50微米；隔离沟槽(11)的侧面为保护台面(12)，保护台面(12)宽度为50～150微米，非吸收窗口(10)、隔离沟槽(11)和保护台面(12)上均生长了50～250微米厚的氮化硅或氧化硅介质薄膜，非吸收窗口(10)和隔离沟槽(11)下的量子阱和量子垒区(5)的量子阱中形成禁带宽度变宽的区域；衬底(1)的底面上设置有N面电极，脊型波导(9)、非吸收窗口(10)、隔离沟槽(11)、保护台面(12)上同时设置有P面电极。
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