[发明专利]一种RRAM灵敏放大器有效
| 申请号： | 201510152648.5 | 申请日： | 2015-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN104778963B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 谢永宜 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 李宏德 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明一种RRAM灵敏放大器，包括用于将存储单元中可变电阻的状态转化成相应电压信号Vmat的存储支路；用于将参考电流转换成相应参考电压Vref的参考支路；用于将电压信号Vmat和参考电压Vref进行比较，输出可变电阻低或高阻态对应的标准逻辑高或低电平的比较输出电路；以及用于在预充电阶段连通存储支路和参考支路的预充电增强电路。能够成功实现对RRAM存储单元中可变电阻状态读取功能；通过预充电增强功能，缩短预充电阶段的时间，从而缩短整个数据读取周期，加快数据读取速度，进而提高了存储器的数据吞吐量。从仿真验证的结果看，本发明方案数据读取周期比传统方案的数据读取周期缩短10nS～15nS。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rram 灵敏 放大器 | ||
【主权项】：
一种RRAM灵敏放大器，其特征在于，包括，用于将存储单元中可变电阻的状态转化成相应电压信号Vmat的存储支路(11)；用于将参考电流转换成相应参考电压Vref的参考支路(12)；用于将电压信号Vmat和参考电压Vref进行比较，输出可变电阻低或高阻态对应的标准逻辑高或低电平的比较输出电路(13)；以及用于在预充电阶段连通存储支路(11)和参考支路(12)的预充电增强电路(14)；所述的预充电增强电路(14)由一个NMOS管或者传输门组成，栅极连接高电平有效的预充电增强电路使能信号ENH_PREQ，漏极和源极分别连接存储支路全局位线BL_MG和参考支路局部位线BL_RL，或是连接参考支路全局位线BL_RG和存储支路局部位线BL_ML；所述的存储支路(11)包括1T1R存储单元(111)、读使能开关(112)、电流电压转换管(115)及由放大器(113)和钳位管(114)组成的电阻电流转换电路；1T1R存储单元(111)一端接位线BL，另一端接地，1T1R存储单元(111)中的MOS开关管的栅极接字线WL；读使能开关(112)由NMOS管组成，接在存储支路全局位线BL_MG和存储支路局部位线BL_ML之间，栅极受读使能信号EN_READ控制；电阻电流转换电路中放大器(113)的正向输入端接钳位参考电压Vclamp，反向输入端接存储支路局部位线BL_ML，输出端Vlimit_mat接在钳位管(114)的栅极，钳位管(114)的源极和漏极分别接存储支路局部位线BL_ML和电压信号Vmat；电流电压转换管(115)由二极管连接的PMOS管组成，栅极和漏极均接电压信号Vmat，源极接电源VDD。
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