[发明专利]一种RRAM灵敏放大器

权利要求书

1.一种RRAM灵敏放大器，其特征在于，包括，

用于将存储单元中可变电阻的状态转化成相应电压信号Vmat的存储支路(11)；

用于将参考电流转换成相应参考电压Vref的参考支路(12)；

用于将电压信号Vmat和参考电压Vref进行比较，输出可变电阻低或高阻态对应的标准逻辑高或低电平的比较输出电路(13)；

以及用于在预充电阶段连通存储支路(11)和参考支路(12)的预充电增强电路(14)。

2.根据权利要求1所述的一种RRAM灵敏放大器，其特征在于，所述的预充电增强电路(14)由一个NMOS管或者传输门组成，栅极连接高电平有效的预充电增强电路使能信号ENH_PREQ，漏极和源极分别连接存储支路全局位线BL_MG和参考支路局部位线BL_RL，或是连接参考支路全局位线BL_RG和存储支路局部位线BL_ML。

3.根据权利要求1所述的一种RRAM灵敏放大器，其特征在于，所述的存储支路(11)包括1T1R存储单元(111)、读使能开关(112)、电流电压转换管(115)及由放大器(113)和钳位管(114)组成的电阻电流转换电路；1T1R存储单元(111)一端接位线BL，另一端接地，MOS开关管的栅极接字线WL；读使能开关(112)由NMOS管组成，接在存储支路全局位线BL_MG和存储支路局部位线BL_ML之间，栅极受读取使能EN_READ控制；电阻电流转换电路中放大器(113)的正向输入端接钳位参考电压Vclamp，反向输入端接存储支路局部位线BL_ML，输出端Vlimit_mat接在钳位管(114)的栅极，钳位管(114)的源极和漏极分别接存储支路局部位线BL_ML和电压信号Vmat；电流电压转换管(115)由二极管连接的PMOS管组成，栅极和漏极均接电压信号Vmat，源极接电源VDD。

4.根据权利要求3所述的一种RRAM灵敏放大器，其特征在于，所述的参考支路(12)包括参考电流源(121)、读使能开关(122)、参考钳位管(124)及电流电压转换管(125)；参考电流源(121)一端接参考支路全局位线BL_RG，另一端接地；读使能开关(122)源极和漏极分别接参考支路全局位线BL_RG和参考支路局部位线BL_RL，栅极受读使能信号EN_READ控制；参考钳位管(124)的源极和漏极分别接参考支路局部位线BL_RL和参考电压Vref，栅极受放大器(113)的输出端Vlimit_mat控制；电流电压转换管(125)由二极管连接的PMOS管组成，栅极和漏极均接参考电压Vref，源极接电源VDD。

5.根据权利要求1所述的一种RRAM灵敏放大器，其特征在于，所述的比较输出电路(13)由比较器(131)和与门(132)组成；比较器(131)的正向输入端接参考电压Vref，反向输入端接电压信号Vmat，输出信号DQ_COMP和使能信号EN_COMP分别接入到与门(132)的两个输入端接，输出信号DQ。