[发明专利]一种掺杂单层二硫化钼片的石墨烯复合薄膜的制备方法有效
| 申请号: | 201510149438.0 | 申请日: | 2015-03-31 |
| 公开(公告)号: | CN104773720B | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
| 发明(设计)人: | 李耀刚;李佳慧;王宏志;张青红;侯成义 | 申请(专利权)人: | 东华大学 |
| 主分类号: | C01B31/04 | 分类号: | C01B31/04 |
| 代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所31233 | 代理人: | 黄志达 |
| 地址: | 201620 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及一种掺杂单层二硫化钼片的石墨烯复合薄膜的制备方法,包括:制备分散均匀的单层二硫化钼与氧化石墨烯混合分散液,通过抽滤得到掺杂单层二硫化钼片的氧化石墨烯复合薄膜,然后用氢碘酸还原得到掺杂单层二硫化钼片的石墨烯复合薄膜,还原后的复合薄膜先后用无水乙醇和去离子水冲洗,再真空干燥获得掺杂单层二硫化钼片的石墨烯复合薄膜。本发明具有工艺简单,易于工业化生产的特点,可以大规模制备单层二硫化钼与石墨烯复合纳米材料,并应用于光催化,电催化、析氢催化、超级电容器等领域。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 掺杂 单层 二硫化钼 石墨 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种掺杂单层二硫化钼片的石墨烯复合薄膜的制备方法,包括:(1)以二硫化钼为原料,通过锂离子插层法制备单层二硫化钼,将制备的单层二硫化钼,分散于去离子水中,通过水浴超声和细胞粉碎剥离获得分散性均匀的单层二硫化钼分散液;其中,单层二硫化钼分散在去离子水中的浓度为0.01mg/mL~1mg/mL;(2)以石墨粉为原料,采用Hummers方法制备氧化石墨,将制备得到的氧化石墨,分散于去离子水中,超声,得到均匀的氧化石墨烯分散液;其中,氧化石墨烯分散在去离子水中的浓度为0.01mg/mL~10mg/mL;(3)将步骤(1)获得的单层二硫化钼分散液和步骤(2)获得的氧化石墨烯分散液按照体积比为1:1~1:5混合,超声,获得混合均匀的单层二硫化钼与氧化石墨烯混合分散液,用聚四氟乙烯滤膜抽滤成薄膜,真空干燥,得到掺杂单层二硫化钼片的氧化石墨烯复合薄膜;(4)将步骤(3)获得的掺杂二硫化钼片的氧化石墨烯复合薄膜放置于氢碘酸溶液中还原,还原时间为2~24h,取出,清洗,得到掺杂单层二硫化钼片的石墨烯复合薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东华大学,未经东华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510149438.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种累托石薄膜的制备方法
- 下一篇:一种蘑菇状多孔磷酸镍及其制备方法





