[发明专利]结合晶圆实体测量与数位模拟以改善半导体元件制程方法

摘要

本发明提供一种结合晶圆实体测量结果与数位模拟资料，以辨识并且监测关键重要点的重要点方法。晶圆实体测量数据是从制造半导体元件的加工晶圆上的多个目标位置搜集而得。候选重要点以及对应的模拟数据，是根据半导体元件的设计资料并基于光学邻近效应以及微影制程校正的模型与认证由数位模拟所产生，利用数据分析来提供所搜集的晶圆实体数据与模拟数据之间的数据相关性分析。此外，数据分析进一步根据与模拟数据具有最佳相关性的晶圆实体数据针对模拟数据执行数据校正，藉此更佳地预测关键重要点。

主权项

一种结合晶圆实体测量结果与数位模拟资料以在半导体元件的制造过程中辨识关键重要点的方法，该方法包括以下步骤：从一半导体元件的一加工晶圆上的多个位置搜集多个实体数据；基于根据该半导体元件的一晶片设计资料所产生的数位模拟资料，产生多个候选重要点的多个模拟数据；以及基于所述实体数据以及所述模拟数据进行数据分析，以判别多个关键重要点；其特征在于，在判别所述关键重要点的步骤中，数据分析包括所述实体数据以及所述模拟数据之间的数据相关性分析，以及根据与所述模拟数据最相关的所述实体数据针对所述模拟数据进行的数据校正。