[发明专利]一种利用超临界流体辅助剥离制备二硫化钼纳米片层的新方法在审

专利信息
申请号: 201510124176.2 申请日: 2015-03-21
公开(公告)号: CN104925865A 公开(公告)日: 2015-09-23
发明(设计)人: 赵健;殷耀禹;莫志超 申请(专利权)人: 青岛科技大学;赵健;殷耀禹
主分类号: C01G39/06 分类号: C01G39/06;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 266000 山东省青*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供了一种利用超临界技术,将二硫化钼在超临界流体中剥离成二硫化钼的新方法.包括以下步骤:步骤一、将二硫化钼与水合肼混合,高温反应。然后过滤、干燥得预处理二硫化钼。步骤二、预处理二硫化钼与溶剂混合,将温度升至溶剂超临界温度,反应一段时间。步骤三、反应结束,将反应器迅速降温。步骤四、过滤,干燥得二硫化钼纳米片层。该方法操作简单,所得二硫化钼纳米片层缺陷少,片层大。
搜索关键词: 一种 利用 临界 流体 辅助 剥离 制备 二硫化钼 纳米 新方法
【主权项】:
本发明提供了一种用超临界技术,将二硫化钼粉末预处理后在超临界流体辅助作用下制备二硫化钼纳米片层的新方法,具体实验步骤为:A)称取1~50g的二硫化钼粉末放入到10~1000ml反应器里B)量取1~50ml水合肼加入步骤一中的反应器.C)将反应器内气体排出,并冲入惰性气体作为保护气,将温度升至100~200℃,反应10~100小时。D)反应器降至室温,将反应器内混合物过滤,干燥。得预处理二硫化钼液。E)称取干燥后的预处理二硫化钼,放入反应盛有溶剂的反应容器中。排除空气,冲入惰性气体做保护气。F)将反应器温度迅速升高到该溶剂的超临界温度,反应1~100小时。G)反应结束,将反应器迅速降温,然后将混合物过滤干燥,得二硫化钼纳米片层。
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