[发明专利]太阳能电池微纳尺寸陷光结构、太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201510109618.6 | 申请日： | 2015-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN105304733A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 盛赟 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213031 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种应用于太阳能电池的微纳尺寸陷光结构，包括晶体硅衬底，所述晶体硅衬底具有正面和背面，其特征在于：掩膜，图形化和刻蚀晶体硅衬底的背面获得的条状、柱状、锥状、孔状结构的一种或多种，在所述晶体硅衬底的正面和背面分别覆盖介质层。同时，本发明还公开了一种包含所述微纳尺寸陷光结构的太阳能电池，及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。它解决现有技术中晶体硅太阳能电池对长波长光谱段吸收较弱的技术问题。本发明增强太阳能电池的长波长光谱吸收，从而提高太阳能电池的电流密度和转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 尺寸 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种应用于太阳能电池的微纳尺寸陷光结构，包括晶体硅衬底，所述晶体硅衬底具有正面和背面，其特征在于：掩膜，图形化和刻蚀晶体硅衬底的背面获得的条状、柱状、锥状、孔状结构的一种或多种，在所述晶体硅衬底的正面和背面分别覆盖介质层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州天合光能有限公司，未经常州天合光能有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510109618.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能电池叠堆
- 下一篇：包括带电荷掺杂剂源层的半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
