[发明专利]GaInP/GaAs双结太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 201510109088.5 | 申请日： | 2015-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN106033785A | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 代盼;陆书龙;季莲;吴渊渊;谭明;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaInP/GaAs双结太阳能电池的制备方法，包括：A、在衬底上生长第一过渡层GaP；B、在第一过渡层GaP上生长第二过渡层Ga1-xInxP；C、在第二过渡层Ga1-xInxP上生长GaAs底电池；D、在GaAs底电池上生长GaInP顶电池；其中，通过调节第二过渡层Ga1-xInxP中铟的含量使其晶格常数与GaAs底电池的晶格常数相匹配。该制备方法以GaP/Ga1-xInxP为过渡层，通过控制铟源流量从而使得第二过渡层Ga1-xInxP的晶格常数过渡至GaAs底电池的晶格常数，使之晶格常数相匹配，从而达到生长制备GaInP/GaAs双结太阳能电池的目的。 | ||
| 搜索关键词： | gainp gaas 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
GaInP/GaAs双结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：A、在衬底上生长第一过渡层GaP；B、在所述第一过渡层GaP上生长第二过渡层Ga1‑xInxP；C、在所述第二过渡层Ga1‑xInxP上生长GaAs底电池；D、在所述GaAs底电池上生长GaInP顶电池；其中，通过调节所述第二过渡层Ga1‑xInxP中铟的含量使其晶格常数与所述GaAs底电池的晶格常数相匹配。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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