[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法在审
| 申请号： | 201510102366.4 | 申请日： | 2015-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN105280489A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 佐藤阳介;宇井明生;林久贵 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 徐晓静 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及等离子体处理装置和等离子处理方法，该等离子处理装置具备有：腔室、导入部、基板电极、高频电源、低频电源和切换机构。导入部向腔室内导入处理气体。基板电极配置在腔室内，直接或间接载置有基板，具有交互配置的第1、第2电极元件群。高频电源输出40MHz以上的高频电压，用于使处理气体离子化，产生等离子体。低频电源输出20MHz以下的低频电压，用于从等离子体中引入离子。切换机构向所述第1、第2电极元件群交互施加所述低频电压。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：腔室，向所述腔室内导入处理气体的导入部，配置在所述腔室内，直接或间接载置有基板，具有交互配置的第1、第2电极元件群的基板电极，用于使所述处理气体离子化、产生等离子体的、输出40MHz以上的高频电压的高频电源，用于从所述等离子体中引入离子的、输出20MHz以下的低频电压的低频电源，向所述第1、第2电极元件群交互施加所述低频电压的切换机构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510102366.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
