[发明专利]一种压力传感器在审
| 申请号： | 201510100984.5 | 申请日： | 2015-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN104729768A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 张文伟 | 申请（专利权）人： | 苏州森特克测控技术有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/12 | 分类号： | G01L1/12;G01L9/16 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 215600 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明所述的一种压力传感器，包括，用于将待测压力转换为自身形变的薄膜组件；直接形成在所述薄膜组件上用于提供磁场的磁性膜体；用于将待测压力传导至所述薄膜组件的压力进口；用于检测所述磁场变化并将所述磁场变化的信号转换为电信号的磁场传感器。工作时，待测压力从所述压力进口输入，并将待测压力传导至所述薄膜组件，所述薄膜组件将待测压力转换为自身形变；直接设置在所述薄膜组件上的磁性膜体随着所述薄膜组件的形变发生磁通量强度变化。所述磁场传感器检测到所述磁通量变化信号并转换为电信号输出。所述压力传感器结构简单，无需半导体封装工艺，工艺成本低、良品率高，适合大规模的工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种压力传感器，其特征在于，包括：薄膜组件(2)，用于将待测压力转换为自身形变；磁性膜体(3)，直接形成在所述薄膜组件(2)上，用于提供磁场；压力进口(4)，用于将待测压力传导至所述薄膜组件(2)；磁场传感器(5)，用于检测所述磁场变化，并将所述磁场变化的信号转换为电信号。
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