[发明专利]一种压力传感器

权利要求书

1.一种压力传感器，其特征在于，包括：

薄膜组件(2)，用于将待测压力转换为自身形变；

磁性膜体(3)，直接形成在所述薄膜组件(2)上，用于提供磁场；

压力进口(4)，用于将待测压力传导至所述薄膜组件(2)；

磁场传感器(5)，用于检测所述磁场变化，并将所述磁场变化的信号转换为电信号。

2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，还包括壳体(1)，所述壳体(1)具有一开口，与紧固在所述开口上的所述薄膜组件(2)形成密闭腔体；所述磁性膜体(3)与所述磁场传感器(5)设置在所述腔体内；所述压力进口(4)设置在所述腔体的外侧。

3.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，还包括芯片(6)，所述芯片(6)设置在所述腔体内，用于处理所述磁场传感器(5)输出的所述电信号，输出所述压力进口(4)处的待测压力值。

4.根据权利要求1-3任一项所述的压力传感器，其特征在于，所述磁场传感器(5)为霍尔传感器、各向异性磁电阻(AMR)传感器、巨磁阻效应(GMR)传感器、隧穿磁阻效应(TMR)传感器中的一种。

5.根据权利要求1-4任一项所述的压力传感器，其特征在于，所述磁场传感器(5)的感应方向与所述磁性膜体(3)的磁极方向不平行。

6.根据权利要求1-5任一项所述的压力传感器，其特征在于，所述磁性膜体(3)的磁场强度为10高斯～1000高斯。

7.根据权利要求1-6任一项所述的压力传感器，其特征在于，所述磁性膜体(3)的厚度为10nm～1mm。

8.根据权利要求1-7任一项所述的压力传感器，其特征在于，所述磁性膜体(3)的材料为钕铁硼、钐钴、铝镍钴、铁氧体中的至少一种。

9.根据权利要求1-8任一项所述的压力传感器，其特征在于，所述薄膜组件(2)的弹性模量为0.01GPa～200GPa。

10.根据权利要求1-9任一项所述的压力传感器，其特征在于，所述薄膜组件(2)为丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物复合金属纤维膜。

11.根据权利要求3-10任一项所述的压力传感器，其特征在于，所述压力传感器还包括设置在所述腔体内的温度传感器，用于检测所述腔体内的温度并转换为电信号传输至所述芯片(6)。

12.根据权利要求3-11任一项所述的压力传感器，其特征在于，所述芯片(6)为可编程芯片。