[发明专利]一种高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明公开了一种高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池，包括硅片，其特征在于：在所述硅片正面依次设置有高折射率氮化硅钝化层，石墨烯导电层和低折射率氮化硅减反层。同时，本发明还公开了一种高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池的制造方法，包括如下步骤：选取硅片，进行制绒、扩散及后清洗；硅片正面沉积高折射率氮化硅钝化层，折射率为2.2～2.3，膜厚为1～10nm；在氮化硅上面旋涂石墨烯的分散液，后续烘干，形成石墨烯导电层，厚度为1～10nm；在石墨烯层上沉积低折射率氮化硅减反层，折射率为2.0～2.1，膜厚为60～80nm；完成背电极、背电场、正电极印刷、烘干烧结，形成电池。本发明的晶体硅太阳能电池具有良好的抗PID性能和较高的电池转换效率。

主权项

一种高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池，包括硅片(1)，其特征在于：在所述硅片(1)正面依次设置有高折射率氮化硅钝化层(2)，石墨烯导电层(3)和低折射率氮化硅减反层(4)。