[发明专利]一种高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池，包括硅片(1)，其特征在于：在所述硅片(1)正面依次设置有高折射率氮化硅钝化层(2)，石墨烯导电层(3)和低折射率氮化硅减反层(4)。

2.根据权利要求1所述的高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述高折射率氮化硅钝化层(2)的折射率2.2～2.3，膜厚为1～10nm。

3.根据权利要求1所述的高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述石墨烯导电层(3)的厚度为1～10nm。

4.根据权利要求1所述的高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池，其特征在于：低折射率氮化硅减反层(4)的折射率为2.0～2.1，膜厚为60～80nm。

5.一种制造权利要求1-4任一所述高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池的方法，包括如下步骤：

(1)选取硅片，进行制绒、扩散及后清洗；

(2)硅片正面沉积高折射率氮化硅钝化层，折射率为2.2～2.3，膜厚为1～10nm；

(3)在氮化硅上面旋涂石墨烯的分散液，后续烘干，形成石墨烯导电层，厚度为1～10nm；

(4)在石墨烯层上沉积低折射率氮化硅减反层，折射率为2.0～2.1，膜厚为60～80nm；

(5)完成背电极、背电场、正电极印刷、烘干烧结，形成电池。