[发明专利]等离子体处理装置的清洁方法有效
| 申请号： | 201510089197.5 | 申请日： | 2015-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN104882360B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 宇田浩;辻本宏;原田彰俊;药师寺秀明;杉山正治 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及简便且有效地除去残留在等离子体处理装置的处理容器内的含Ti反应物的方法。在Low‑k膜的蚀刻加工中，紧接在完成了干蚀刻步骤(S |
||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 清洁 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置的清洁方法，其用于除去残留在等离子体处理装置的处理容器内的含Ti反应物，所述等离子体处理装置的清洁方法的特征在于，包括：第一干清洁步骤，其一边对所述处理容器内进行排气，一边向减压状态的所述处理容器内导入包含H2气体和N2气体的第一清洁气体，使所述第一清洁气体放电而生成等离子体，使所述等离子体的任一种活性种与所述含Ti反应物反应，将该反应生成物从所述处理容器排出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510089197.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种带绿化结构的推拉门
- 下一篇：径向密封的灭菌柜
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
