[发明专利]硅基叠层太阳能电池的制备方法

摘要

本发明涉及硅基叠层太阳能电池的制备方法，步骤顺序如下第1步、利用多晶硅衬底制备PN结电池；第2步、淀积铝顶电极，与P型多晶硅形成欧姆接触；第3步、淀积P型非晶硅层，与P型多晶硅形成同型异质结；第4步、制备底电极，形成叠层太阳能电池。本发明利用顶层宽禁带的非晶硅薄膜作光吸收层与多晶硅衬底构成异质结，利用底层窄禁带的多晶硅作光吸收层，在多晶硅中形成PN结，所述两结共用一个P型多晶硅层，减少了一个电池间的界面，避免了电池间界面对于电流的复合作用，提高了太阳能电池的光电转换效率比单结多晶硅电池提高5‑10%。

主权项

硅基叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述硅基叠层太阳能电池包括一顶电极、一底电极、P 型多晶硅和N 型多晶硅，其特征在于还包括一层P 型非晶硅，所述P 型多晶硅连接在所述N 型多晶硅上，在P 型多晶硅与N 型多晶硅之间构成一个PN 结，所述顶电极和所述底电极分别连接在P 型多晶硅上表面和N 型多晶硅下表面，所述P 型非晶硅覆盖在P 型多晶硅及顶电极上，使顶电极位于P 型非晶硅与P 型多晶硅之间，P 型非晶硅与P 型多晶硅之间构成一个同型异质结；所述制备方法的步骤顺序如下：第1步、利用多晶硅衬底制备PN 结电池；第2步、淀积铝顶电极，与P 型多晶硅形成欧姆接触；第3步、淀积P 型非晶硅层，与P 型多晶硅形成同型异质结；第4步、制备底电极，形成叠层太阳能电池。