[发明专利]一种减小晶圆表面粗糙度的方法

摘要

本发明涉及半导体生产和制造领域。具体涉及一种减小晶圆表面粗糙度的方法：包括化学机械研磨工艺，化学机械研磨工艺至少包括主研磨工序和去离子水清洗工序，主研磨工序中使用带有研磨颗粒的化学制剂为研磨液对晶圆进行研磨，且去离子水清洗工序中采用的下压力与主研磨工序中采用的下压力相同，以获得表面粗糙度符合要求的晶圆。其中，晶圆的初始平均粗糙度为Ra1，晶圆经过化学机械研磨后所期望达到的预期平均粗糙度为Ra2，在去离子水清洗工序中，化学机械研磨工艺以去离子水为研磨液继续对晶圆进行研磨，以去离子水为研磨液对所述晶圆进行研磨的研磨速率为RR，去离子水清洗工序中对晶圆进行研磨的时间至少为△T＝6*(Ra1‑Ra2)/RR。

主权项

一种减小晶圆表面粗糙度的方法，包括化学机械研磨工艺，所述化学机械研磨工艺至少包括主研磨工序和去离子水清洗工序，所述主研磨工序中使用带有研磨颗粒的化学制剂为研磨液对所述晶圆进行研磨，其特征在于，在所述去离子水清洗工序中，所述化学机械研磨工艺以去离子水为研磨液继续对所述晶圆进行研磨，所述去离子水清洗工序中采用的下压力与所述主研磨工序中采用的下压力相同，以获得表面粗糙度符合要求的晶圆。