[发明专利]人工石墨片及其制造方法、含人工石墨片的石墨基板堆栈结构有效

专利信息
申请号: 201510075501.0 申请日: 2015-02-13
公开(公告)号: CN105984867B 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 柯品聿 申请(专利权)人: 柯品聿
主分类号: B32B9/04 分类号: B32B9/04;C01B32/205;H01L33/64
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司43113 代理人: 何为,袁颖华
地址: 中国台湾新北市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种人工石墨片及其制造方法,其是以PI膜为素材,经堆栈步骤、第一升温步骤、第二升温步骤加工成人工石墨片,增加润滑及其硬性、加速热传导均衡升温,提升其平整性;此外,进一步配合贯孔步骤,于人工石墨片上形成孔状结构,可增加人工石墨片的热扩散面积及透气性,提高生产良率及平整性。本发明同时涉及含人工石墨片的石墨基板堆栈结构,其包括上述制成的人工石墨片、基层、至少一导电层及至少一绝缘层,不仅可适用于热电分离的电子产品。
搜索关键词: 人工 石墨 及其 制造 方法 堆栈 结构
【主权项】:
一种人工石墨片的制造方法,其特征在于,该方法是以PI膜为素材制成人工石墨片,包括下列步骤:堆栈步骤,其是将PI膜与天然石墨尘纸交叉堆栈,使每一PI膜介于二天然石墨尘纸之间;利用至少二石墨板加以分隔并压合于所述交叉堆栈的PI膜与天然石墨尘纸的至少上、下方,再利用石墨盒容纳并固定,并于石墨盒中留有可供膨胀的预设空间,;第一升温步骤,其是将堆栈后的PI膜阶段性升温至1000‑1200℃,使PI膜碳化为半成品;第二升温步骤,其是将碳化后的半成品维持堆栈状态,并阶段性升温至2500‑3000℃,使半成品石墨化成人工石墨片。
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