[发明专利]人工石墨片及其制造方法、含人工石墨片的石墨基板堆栈结构

权利要求书

1.一种人工石墨片的制造方法，其特征在于，该方法是以PI膜为素材制成人工石墨片，包括下列步骤：

堆栈步骤，其是将PI膜与天然石墨尘纸交叉堆栈，使每一PI膜介于二天然石墨尘纸之间；利用至少二石墨板加以分隔并压合于所述交叉堆栈的PI膜与天然石墨尘纸的至少上、下方，再利用石墨盒容纳并固定，并于石墨盒中留有可供膨胀的预设空间，；第一升温步骤，其是将堆栈后的PI膜阶段性升温至1000-1200℃，使PI膜碳化为半成品；

第二升温步骤，其是将碳化后的半成品维持堆栈状态，并阶段性升温至2500-3000℃，使半成品石墨化成人工石墨片。

2.如权利要求1所述的人工石墨片的制造方法，其特征在于，所述堆栈步骤前进一步包含贯孔步骤，其是于PI膜上开设有数个孔径介于0.1-1mm的穿孔。

3.如权利要求1所述的人工石墨片的制造方法，其特征在于，所述第二升温步骤后进一步包含贯孔步骤，其是于人工石墨片上开设有数个孔径介于0.1-1mm的穿孔。

4.如权利要求2或3所述的人工石墨片的制造方法，其特征在于，所述穿孔呈数组或斜交的方式分布，且该两穿孔间的间距介于0.1-5mm之间。

5.如权利要求1至3中任一项所述的人工石墨片的制造方法，其特征在于，所述第一升温步骤及该第二升温步骤采电阻式或感应式的升温炉进行阶段性升温。

6.一种石墨基板堆栈结构，其特征在于，其包括权利要求2至3中任一项所述方法制造的人工石墨片、基层、至少一导电层及至少一绝缘层，该基层位于该人工石墨片下方，并由金属、树脂或木材纤维所构成；该导电层位于该人工石墨片上方，并由导电材料所构成；该绝缘层对应该导电层，且该绝缘层贴附于该导电层与该人工石墨片之间，并由绝缘复合材料所构成；最上方的导电层及与其对应的绝缘层处开设有至少一灌注孔。

7.如权利要求6所述的石墨基板的堆栈结构，其特征在于，所述基层与该人工石墨片之间进一步设有附加绝缘层。

8.如权利要求6所述的石墨基板的堆栈结构，其特征在于，所述导电层由可导电的金属材料制成，该绝缘层由热硬化性树脂材料或高分子树脂材料制成。