[发明专利]超窄节距的晶圆级封装切割方法

摘要

本发明公开了一种超窄节距的晶圆级封装切割方法，通过在晶圆的正面铺设一层光刻胶，通过曝光显影工艺形成第一开口，将与切割道对应的介质层暴露；再通过刻蚀工艺或者激光切割工艺形成第二开口，使第二开口穿入一定深度的衬底中；然后从背面进行研磨，使得应力全部集中于刻蚀或者切割形成的第二开口的尖角位置处，产生一定的裂纹；若研磨过程中产生的扩展抗力足够大，则裂纹会沿一定角度裂开，进而分立为单个芯片；若研磨过程中产生的扩展抗力不足，则对晶圆施加一定外力，使得裂纹扩展，裂开，进而分立为单个芯片。本发明可以实现切割道超窄的晶圆的切割，且工艺过程简单，工艺窗口也相应增大。

主权项

一种超窄节距的晶圆级封装切割方法，其特征在于，包括如下步骤：a、提供一晶圆(1)，所述晶圆的功能面为正面(101)，与之相反的一面为背面(102)；b、在晶圆的正面上正对切割道(103)的位置形成自所述正面向所述背面延伸的第一开口(2)，所述第一开口暴露出与晶圆切割道正对的介质层(104)；c、在暴露出的所述介质层上形成自所述正面向所述背面延伸的第二开口(3)，所述第二开口暴露出正对晶圆切割道的衬底(105)，并延伸刻入所述衬底内一定深度；d、对晶圆的背面进行研磨，使所述第二开口底部的尖角位置处形成一定的裂纹(4)，且在研磨过程中产生的扩展抗力让裂纹扩展，促使所述晶圆分立为单个芯片或在晶圆的外部施加一定的外力让裂纹扩展，促使所述晶圆分立为单个芯片。