[发明专利]一种太阳能电池硼磷低交叉掺杂制作工艺

摘要

本发明太阳能电池硼磷低交叉掺杂制作工艺，包括以下步骤一、将硼掺杂剂或磷掺杂剂涂膜至太阳能硅片表面，烤干并放入石英舟上；二、将石英舟放入设置温度在400‑800℃扩散炉的推进浆中间，并以0.5‑1.5米/分钟速度在流量为10‑50升/分钟氮气保护下送入扩散炉；三、在设置的温度下，将5‑10％的氧气充入并将扩散样品在此条件下保持10‑60分钟；四、然后以每分钟15℃速度将温度升至850‑950℃,氮气保护下高温扩散20‑60分钟；五、再以每分钟5℃将扩散炉温度降到800℃以下并送出样品。交叉低硼掺杂或无磷交叉掺杂，可共扩散一步形成复杂设计结构，工艺减化，在同样条件下取得相同掺杂性能，并能取得更好的掺杂表面均一性和调整掺杂深度，提高效率，无需阻挡层进行边缘隔离和边缘切割步骤，降低环境污染。

主权项

一种太阳能电池硼磷低交叉掺杂制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：第一步、将硼掺杂剂或磷掺杂剂涂膜至太阳能硅片表面，烤干并放入石英舟上；第二步、将石英舟放入设置温度在400‑800℃扩散炉的推进浆中间，并以0.5‑1.5米/分钟的速度在流量为10‑50升/分钟氮气保护下送入扩散炉；第三步、在设置的温度下，将5‑10％的氧气充入并将扩散样品在此条件下保持10‑60分钟；第四步、然后以每分钟15℃的速度将温度升至850‑950℃,氮气保护下高温扩散20‑60分钟；第五步、最后以每分钟5℃将扩散炉温度降到800℃以下并送出样品。