[发明专利]衬底处理装置喷头模块的滚珠丝杠喷头模块调节器组件有效
申请号: | 201510069731.6 | 申请日: | 2015-02-10 |
公开(公告)号: | CN104862672B | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 埃里克·拉塞尔·马德森 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及衬底处理装置喷头模块的滚珠丝杠喷头模块调节器组件,具体而言,一种半导体衬底处理装置包括用于调整装置的喷头模块的平面化的滚珠丝杠喷头模块调节器组件。该滚珠丝杠喷头调节器组件包括被支撑在顶板的阶梯开口中的套环;在套环与被至少三个可调的滚珠丝杠支撑在套环上方的调节器板之间形成气密密封的波纹管,其中该至少三个可调的滚珠丝杠能操作地相对于套环调整调节器板的平面化。绝缘套管延伸通过套管中的开口、波纹管和调节器板。喷头模块的杆通过螺母组件被支撑在绝缘套管的开口中,使得杆被支撑并对准在绝缘套管内,以便调节器板的平面化的调整借此调整喷头模块的面板的平面化。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 喷头 模块 滚珠 调节器 组件 | ||
【主权项】:
1.一种用于处理半导体衬底的半导体衬底处理装置,其包括:化学隔离室,在其中单个的半导体衬底被处理,其中顶板形成所述化学隔离室的上壁;与所述化学隔离室流体连通的处理气体源,其用于将处理气体供给至所述化学隔离室内;喷头模块,其将所述处理气体从所述处理气体源输送至所述处理装置的处理区,在该处理区处理所述单个的半导体衬底,其中所述喷头模块包括附连到杆的下端的基体,并且其中具有气体通道穿过其中的面板形成所述基体的下表面;衬底基座模块,其被配置成在所述衬底的处理过程中在所述面板下方的所述处理区中支撑所述半导体衬底;以及滚珠丝杠喷头模块调节器组件,其将所述喷头模块支撑在所述顶板中,其中所述滚珠丝杠喷头模块调节器组件能操作地相对于邻近所述面板的所述衬底基座模块的上表面调整所述喷头模块的所述面板的平面化,所述滚珠丝杠喷头模块调节器组件包括:被支撑在所述顶板的阶梯开口中的套环,其中O形环在所述套环的下表面与所述阶梯开口的水平上表面之间形成气密密封;在所述套环与被至少三个可调的滚珠丝杠支撑在所述套环上方的调节器板之间形成气密密封的波纹管,其中所述至少三个可调的滚珠丝杠能操作地相对于所述套环调整所述调节器板的平面化,以及延伸通过所述套环中的开口、所述波纹管和所述调节器板的绝缘套管,其中在所述绝缘套管的上端上的凸缘被固定地支撑在所述调节器板的上表面上并且O形环形成其间的气密密封;其中所述喷头模块的所述杆通过螺母组件被支撑在所述绝缘套管的阶梯开口中,所述螺母组件能操作地抵靠所述绝缘套管的圆锥形肩挤压所述螺母组件下方的所述杆的锥形/圆锥形肩,使得所述喷头模块的所述杆被固定地支撑并对准在所述绝缘套管内,以便所述调节器板的所述平面化的调整借此调整所述喷头模块的所述面板的所述平面化。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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