[发明专利]辐射检测装置和辐射检测系统

摘要

本发明涉及辐射检测装置和辐射检测系统。辐射检测装置包括转换元件，包含针对各像素分割的第一电极、半导体层和第二电极；切换元件，与第一电极电连接；以及第一绝缘层，分离相邻像素的转换元件。半导体层位于第一电极与第二电极之间。半导体层的外周位于第一电极的外周和第二电极的外周的外面。半导体层包括第一杂质半导体层、第二杂质半导体层和位于第一杂质半导体层与第二杂质半导体层之间的本征半导体层。限定该装置的参数，以将接通切换元件之后10μs的残留电荷设定为不高于2％。

主权项

一种包括多个像素的辐射检测装置，其特征在于，该辐射检测装置包括：转换元件，包含针对各像素分割的第一电极、半导体层和第二电极；切换元件，与第一电极电连接；以及第一绝缘层，分离相邻像素的转换元件，其中，半导体层位于第一电极与第二电极之间，半导体层的外周位于第一电极的外周和第二电极的外周的外面，半导体层包括包含与第一电极接触的部分的第一杂质半导体层、包含与第二电极接触的部分的第二杂质半导体层和位于第一杂质半导体层与第二杂质半导体层之间的本征半导体层，并且，限定从第一杂质半导体层的外周沿着第一杂质半导体层直到第一杂质半导体层的与第一电极接触的部分的长度DL1、从第二杂质半导体层的外周沿着第二杂质半导体层直到第二杂质半导体层的与第二电极接触的部分的长度DU、第一杂质半导体层的薄层电阻R□L1、第二杂质半导体层的薄层电阻R□U、所述多个像素的像素间距P和切换元件的导通电阻Ron，以将接通切换元件之后10μs的残留电荷设定为不高于2％。