[发明专利]用于硅基导电膜的低温沉积在审
| 申请号： | 201510067957.2 | 申请日： | 2015-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN105576120A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | S·P·麦克斯维尔;K-H·金;S·H·乔 | 申请（专利权）人： | 科洛斯巴股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文描述用于硅基导电膜的低温沉积，提供用于固态存储器的硅基电性导体的低温沉积。在各种公开实施例中，所述硅基导体可以形成存储器单元的电极、电子装置的导电组件之间的互连、导电穿孔、导线等等。此外，所述硅基电性导体可以形成作为单晶工艺结合互补金属氧化物半导体(CMOS)装置的制造的一部分。在具体的实施例中，所述硅基电性导体可以是p型硅锗化合物，即其在兼容CMOS装置制造的温度下沉积时被激活。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 导电 低温 沉积 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供用于电子存储器的衬底；形成包括晶种层材料的晶种层在所述衬底上；使用含硅和锗前体以及p型掺杂剂在沉积温度低于约摄氏450度下形成导电含硅锗材料于所述晶种层上，其中所述晶种层材料促进所述导电含硅和锗材料的结晶；以及其中所述p型掺杂剂在所述导电含硅和锗材料内被激活同时形成所述导电含硅和锗材料。
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