[发明专利]氧化铁多孔纳米棒阵列电极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201510065512.0 | 申请日： | 2015-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN105990560B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 齐利民;陈帅;信跃龙;周恒辉 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01M4/04 | 分类号： | H01M4/04;H01M4/1391;H01M4/131;H01M4/52;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化铁多孔纳米棒阵列电极材料及其制备方法。首先在含有Fe3+和SO42‑的醋酸水溶液中，于导电基底上直接生长氧化铁纳米阵列薄膜，然后通过酸刻蚀优化氧化铁纳米棒阵列中的孔道结构，从而改善电解液在材料中的浸润，缩短锂离子在固相中的扩散距离，并提供缓冲体积膨胀的空间。本发明方法制备的氧化铁多孔纳米棒阵列材料作为无需添加剂的锂离子电池负极使用时具有优异的高倍率锂电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铁 多孔 纳米 阵列 电极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化铁多孔纳米棒阵列的制备方法，包括以下步骤：1)将导电基底浸入含有Fe3+和SO42‑的醋酸水溶液中，170～190℃水热反应18小时以上，在导电基底上生长出氧化铁纳米阵列薄膜，然后自然冷却、清洗、晾干，其中所述溶液中醋酸含量在20％～30％v/v，Fe3+的浓度为0.005～0.02mol/L，SO42‑的浓度为0.4～0.7mol/L；2)将步骤1)制备的氧化铁纳米阵列薄膜及其导电基底置于酸溶液中刻蚀，扩大氧化铁纳米阵列中的孔道，所述酸溶液为含有草酸和FeSO4的溶液，其中草酸浓度在0.5mol/L以上，FeSO4浓度为0～200μmol/L，刻蚀反应温度为15～30℃；然后洗净，晾干，得到氧化铁多孔纳米棒阵列；3)将氧化铁多孔纳米棒阵列在400～500℃下煅烧20～60分钟。
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