[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201510063611.5 | 申请日： | 2015-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN104835752A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 川边直树 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;H01L21/607 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的制造方法，其提高半导体器件的可靠性。半导体器件的制造方法包括连接在线的顶端形成的球部与半导体芯片的焊盘(电极焊盘)的步骤。焊盘包含铝基材料，并且在其要与球部连接的部分中具有沟槽。球部包含比金硬的材料。连接球部的步骤包括向球部施加超声波的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：(a)提供包含前表面、在前表面上形成的保护膜、以及在保护膜中形成的开口中从保护膜露出的第一电极焊盘的半导体芯片；以及(b)在步骤(a)之后，连接在线的顶端形成的球部与第一电极焊盘，其中，第一电极焊盘包含铝基材料，其中，在第一电极焊盘的从保护膜露出的部分上形成沟槽，其中，球部包含比金硬的材料，以及其中，步骤(b)包括以下步骤：(b1)使球部与第一电极焊盘接触，以使得球部与第一电极焊盘的沟槽重叠，(b2)在步骤(b1)之后，向球部施加负载，并且在第一电极焊盘的厚度方向上按压球部，以及(b3)在步骤(b2)之后，向球部施加超声波。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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