[发明专利]膜片上FBAR结构的微加速度计有效
申请号: | 201510055104.7 | 申请日: | 2015-02-03 |
公开(公告)号: | CN104833822B | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 高杨;何婉婧;李君儒;贺学峰;蔡洵;赵俊武;尹汐漾;黄振华 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
主分类号: | G01P15/09 | 分类号: | G01P15/09 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙)51211 | 代理人: | 蒋斯琪 |
地址: | 621900 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了膜片上FBAR结构的微加速度计,包括惯性力敏结构、检测元件和复合薄膜,复合薄膜用于连接惯性力敏结构和检测元件,惯性力敏结构位于复合薄膜的下方,检测元件位于复合薄膜的上方;惯性力敏结构包括Si质量块、Si基座与空腔;Si质量块设置于复合薄膜底部的中心区域,Si基座呈环状设置于复合薄膜底部的边沿区域,Si质量块、Si基座与复合薄膜之间为空腔,即Si基座包围Si质量块,Si质量块、Si基座被空腔隔开,Si质量块和空腔上面对应的复合薄膜为弹性膜片区域;检测元件包括FBAR、引线、焊盘,FBAR通过引线与焊盘连接;本发明具有可制造性好、温度稳定性高、模态间的交叉耦合小、机械强度高的优点。 | ||
搜索关键词: | 膜片 fbar 结构 加速度计 | ||
【主权项】:
膜片上FBAR结构的微加速度计,其特征在于:包括惯性力敏结构、检测元件和复合薄膜,复合薄膜用于连接惯性力敏结构和检测元件,惯性力敏结构位于复合薄膜的下方,检测元件位于复合薄膜的上方;惯性力敏结构包括Si质量块、Si基座与空腔;Si质量块设置于复合薄膜底部的中心区域,Si基座呈环状设置于复合薄膜底部的边沿区域,Si质量块、Si基座与复合薄膜之间形成空腔,即Si基座包围Si质量块,Si质量块、Si基座被空腔隔开,Si质量块和空腔上面对应的复合薄膜为弹性膜片区域;检测元件包括FBAR、引线、焊盘,FBAR通过引线与焊盘连接。
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