[发明专利]一种硅通孔测试方法在审
| 申请号： | 201510054277.7 | 申请日： | 2015-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN104576434A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 李志华;于中尧;周晓娟 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 任益 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种硅通孔测试方法。硅通孔的直接电学测试需要对其顶部和底部同时加载测试连接，但主流的测试设备不支持对晶圆的正面和背面同时加载测试连接，因此导致硅通孔的测试过程工艺复杂、成本较高。本发明通过在完成硅通孔和微凸点制备的晶圆背面贴合一层导电膜，然后通过探针对上述晶圆正面露出的焊盘进行测试，包括通断测试、电阻测试等方式，实现对硅通孔的电学参数进行测试。具有操作简单、低成本的显著优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅通孔 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种硅通孔测试方法，其特征在于包括以下步骤：提供一个完成硅通孔制备工艺的晶圆；对上述晶圆完成背面减薄，硅通孔内导体露头；在上述晶圆背面贴合一层导电膜；通过上述晶圆正面露出的焊盘对硅通孔进行测试。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
