[发明专利]一种硅通孔测试方法

权利要求书

1.一种硅通孔测试方法，其特征在于包括以下步骤：

提供一个完成硅通孔制备工艺的晶圆；

对上述晶圆完成背面减薄，硅通孔内导体露头；

在上述晶圆背面贴合一层导电膜；

通过上述晶圆正面露出的焊盘对硅通孔进行测试。

2.根据权利要求1所述的硅通孔测试方法，其特征在于在晶圆背面贴合导电膜之前，先将器件晶圆正面通过临时键合胶粘结固定在一载片上。

3.根据权利要求1所述的硅通孔测试方法，其特征在于所述硅通孔内导体露头之后，在其端部上进行微凸点的制备。

4.根据权利要求3所述的硅通孔测试方法，其特征在于导电膜厚度大于上述微凸点，贴合后完全覆盖上述微凸点。

5.根据权利要求1所述的硅通孔测试方法，其特征在于所述互连工艺还包括凸块或凸块以及再分布层的制作步骤。

6.根据权利要求1至4所述的任一项硅通孔测试方法，其特征在于d步骤中，采用探针与焊盘接触的方式，对硅通孔进行测试。