[发明专利]改善IGBT背面金属化的工艺方法有效
| 申请号： | 201510050448.9 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104637803B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 迟延庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善IGBT背面金属化的工艺方法，包括方法A或方法B；(一)方法A，包括步骤1)进行背面注入、激光退火和金属Al淀积；2)激光退火；3)进行TiNiAg淀积；(二)方法B，包括步骤(I)进行背面注入；(II)淀积一层三族难熔金属；(III)激光退火；(IV)进行NiAg淀积。本发明能较好地改善金属和半导体之间的欧姆接触，并能避免NiAg被氧化以及避免正面有机钝化层挥发失效等。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 igbt 背面 金属化 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种改善绝缘栅双极型晶体管背面金属化的工艺方法，其特征在于，包括：方法A；方法A，包括步骤：1)进行背面注入、激光退火和金属Al淀积；所述背面注入包括：使用N型杂质进行背面场截止层的注入；使用P型杂质进行背面集电极的注入；步骤1)的激光退火的退火能量在1.0J/CM2到5.0J/CM2之间；Al的淀积的厚度不超过3000埃；2)激光退火；所述步骤2)中，激光退火的条件由激光器的种类和功率决定，并要求在以下的条件下进行：在能实现Al和半导体之间形成合金接触、且不引起Al液化的条件下进行；3)进行TiNiAg淀积。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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