[发明专利]用于压控振荡器的电压电流转换器在审
申请号: | 201510048186.2 | 申请日: | 2015-01-30 |
公开(公告)号: | CN104617949A | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 宏潇 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H03L7/099 | 分类号: | H03L7/099 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于压控振荡器的电压电流转换器,包括:镜像的第一和二电流路径;第一电流路径包括第一NMOS管,其栅极连接控制电压,源极接地,漏极提供第一电流路径的电流;第二电流路径输出镜像电流到电流控制振荡器;控制电压还连接到第二NMOS管的栅极和漏极,第二NMOS管的源极连接到第二电流路径的镜像电流的输出端;当控制电压为使所述第一NMOS管工作于饱和区的值时,第二NMOS管的栅源电压小于阈值电压而关闭;当控制电压升高到接近电源电压而使第一NMOS管进入线性区时,第二NMOS管的栅源电压大于阈值电压而打开并提供补偿电流到第二电流路径的镜像电流的输出端。本发明能提高输出频率信号的频率范围。 | ||
搜索关键词: | 用于 压控振荡器 电压 电流 转换器 | ||
【主权项】:
一种用于压控振荡器的电压电流转换器,其特征在于,包括:第一电流路径和第二电流路径,所述第二电流路径为所述第一电流路径的镜像路径;所述第一电流路径包括第一NMOS管,所述第一NMOS管的栅极连接控制电压,所述第一NMOS管的源极接地,所述第一NMOS管的漏极提供所述第一电流路径的电流;所述第二电流路径输出所述第一电流路径的镜像电流到电流控制振荡器;所述控制电压还连接到第二NMOS管的栅极和漏极,所述第二NMOS管的源极连接到所述第二电流路径的镜像电流的输出端;当所述控制电压为使所述第一NMOS管工作于饱和区的值时,所述第二NMOS管的栅源电压小于阈值电压而关闭;当所述控制电压升高到接近电源电压而使所述第一NMOS管进入线性区时,所述第二NMOS管的栅源电压大于阈值电压而打开并提供补偿电流到所述第二电流路径的镜像电流的输出端。
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