[发明专利]用于压控振荡器的电压电流转换器在审

专利信息
申请号: 201510048186.2 申请日: 2015-01-30
公开(公告)号: CN104617949A 公开(公告)日: 2015-05-13
发明(设计)人: 宏潇 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H03L7/099 分类号: H03L7/099
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 郭四华
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 压控振荡器 电压 电流 转换器
【权利要求书】:

1.一种用于压控振荡器的电压电流转换器,其特征在于,包括:第一电流路径和第二电流路径,所述第二电流路径为所述第一电流路径的镜像路径;

所述第一电流路径包括第一NMOS管,所述第一NMOS管的栅极连接控制电压,所述第一NMOS管的源极接地,所述第一NMOS管的漏极提供所述第一电流路径的电流;

所述第二电流路径输出所述第一电流路径的镜像电流到电流控制振荡器;

所述控制电压还连接到第二NMOS管的栅极和漏极,所述第二NMOS管的源极连接到所述第二电流路径的镜像电流的输出端;

当所述控制电压为使所述第一NMOS管工作于饱和区的值时,所述第二NMOS管的栅源电压小于阈值电压而关闭;当所述控制电压升高到接近电源电压而使所述第一NMOS管进入线性区时,所述第二NMOS管的栅源电压大于阈值电压而打开并提供补偿电流到所述第二电流路径的镜像电流的输出端。

2.如权利要求1所述用于压控振荡器的电压电流转换器,其特征在于:所述第一电流路径还包括第一PMOS管,所述第一PMOS管的栅极和漏极连接所述第一NMOS管的漏极并连接到所述第二电流路径,所述第一PMOS管的源极连接电源电压。

3.如权利要求1或2所述用于压控振荡器的电压电流转换器,其特征在于:所述第二电流路径包括第二PMOS管,所述第二PMOS管的源极连接电源电压,所述第二PMOS管的栅极连接到所述第一电流路径,所述第二PMOS管的漏极输出镜像电流。

4.如权利要求3所述用于压控振荡器的电压电流转换器,其特征在于:所述第二电流路径还包括第三PMOS管,所述第三PMOS管的源极连接所述第二PMOS管的漏极,所述第三PMOS管的漏极输出镜像电流,所述第三PMOS管的栅极接偏置电压,由所述第二PMOS管和所述第三PMOS管组成共源共栅电流源。

5.如权利要求4所述用于压控振荡器的电压电流转换器,其特征在于:电压电流转换器还包括由第四PMOS管和第三NMOS管组成的反馈路径,所述第四PMOS管的源极接电源电压,所述第四PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的源极,所述第四PMOS管的漏极、所述第三NMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极相连接,所述第三NMOS管的源极接地,所述第三NMOS管的栅极连接所述控制电压。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510048186.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top