[发明专利]一种基于稀土掺杂TiO2薄膜的电致发光器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201510044205.4 | 申请日： | 2015-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN104735833A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 马向阳;朱辰;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H05B33/22 | 分类号： | H05B33/22;H05B33/14;H05B33/10 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于稀土掺杂TiO2薄膜的电致发光器件，包括硅衬底、发光层以及第一电极层和第二电极层，所述发光层为掺杂Tm、Er或Eu的TiO2薄膜，其特征在于，所述硅衬底和发光层之间设有SiO2薄膜。本发明提供的电致发光器件为SiO2-TiO2：RE(RE＝Tm、Er、Eu)双层结构，电子可以在SiO2薄膜的电场中加速形成热载流子，使得本发明的基于稀土掺杂TiO2薄膜的电致发光器件可以在较低的正向偏压下激发发光，所发出的光为Tm3+、Er3+或Eu3+稀土离子在可见光区及红外区的特征发光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 稀土 掺杂 tio2 薄膜 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于稀土掺杂TiO2薄膜的电致发光器件，包括硅衬底、发光层以及第一电极层和第二电极层，所述发光层为掺杂Tm、Er或Eu的TiO2薄膜，其特征在于，所述硅衬底和发光层之间设有SiO2薄膜。
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