[发明专利]一种基于稀土掺杂TiO2薄膜的电致发光器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201510044205.4 | 申请日： | 2015-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN104735833A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 马向阳;朱辰;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H05B33/22 | 分类号： | H05B33/22;H05B33/14;H05B33/10 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 稀土 掺杂 tio2 薄膜 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于稀土掺杂TiO2薄膜的电致发光器件，包括硅衬底、发光层以及第一电极层和第二电极层，所述发光层为掺杂Tm、Er或Eu的TiO2薄膜，其特征在于，所述硅衬底和发光层之间设有SiO2薄膜。
2.根据权利要求1所述基于稀土掺杂TiO2薄膜的电致发光器件，其特征在于，所述SiO2薄膜的厚度为5～30nm。
3.根据权利要求1所述基于稀土掺杂TiO2薄膜的电致发光器件，其特征在于，所述发光层的厚度为60～150nm。
4.根据权利要求1所述基于稀土掺杂TiO2薄膜的电致发光器件，其特征在于，所述发光层的掺杂浓度为：0.5～2％。
5.根据权利要求1所述基于稀土掺杂TiO2薄膜的电致发光器件，其特征在于，其特征在于，所述硅衬底为N型或P型<100>硅片。
6.根据权利要求1所述基于稀土掺杂TiO2薄膜的电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在硅衬底正面通过热氧化法制备SiO2薄膜；由下向上依次在SiO2薄膜上通过磁控溅射法沉积掺杂Tm、Er或Eu的TiO2薄膜和直流溅射法沉积第一电极层；在硅衬底背面通过直流溅射法沉积第二电极层。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，热氧化的温度为1100℃，处理6～14min。
8.根据权利要求1～5任一项所述基于稀土掺杂TiO2薄膜的电致发光器件的发光方法，其特征在于，在第一电极层和第二电极层之间施加8.0～9.0伏特的电压。
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