[发明专利]一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法

摘要

本发明提供了一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法，包括如下步骤首先在清洁烘干后的硅基底上旋涂一定厚度的光刻胶，然后将旋涂有光刻胶的硅片固定在一个特别设计的铸钢架上，钢架倾斜角度为15°，之后对硅片上的光刻胶进行两次曝光，第一次曝光完成后将硅片在其所在平面内旋转180°，进行第二次曝光，两次曝光结束即完成了斜光刻的曝光过程，最后显影形成“X”型三维电极阵列结构，并制备三维微电极。本发明从设计工艺的角度出发，通过改进曝光方式来提高三维阵列结构的比表面积，相比传统垂直电极阵列结构，“X”型阵列表现出深宽比高、比表面积大而且结构稳定等特点。因此，该结构在MEMS超级电容器电极结构设计中可被广泛采用。

主权项

一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法，其特征在于包括以下步骤：S1：选取硅片作为基底，并对硅片进行清洗、烘干；S2：在硅片上旋涂上光刻胶,然后将硅片和掩膜板通过铸钢架倾斜固定：S3：对固定好的硅片先进行第一次曝光，然后将硅片在其所在平面内旋转180°，进行第二次曝光；S4：曝光结束后，对硅片上的光刻胶进行显影，形成“X”型三维电极阵列结构；S5：在“X”型三维电极阵列结构表面采用电化学沉积、溅射方法沉积电极活性物质功能薄膜，得到三维微电极；所述的铸钢架包括底座（1）、圆盘（2）和圆环（3），底座（1）的顶面和底面的夹角为15°，顶面上还设有圆盘形凹槽（4），圆盘形凹槽（4）内还设有两盲孔（5），且两盲孔（5）位于圆盘形凹槽的直径上，圆盘（2）的顶面上设有放置硅片的凹槽（6），放置硅片的凹槽（6）内还设有通孔（7），且通孔（7）处向下延伸有可以插入到底座的圆盘形凹槽内任意盲孔中的固定管（8），圆盘（2）的四周边缘设有螺丝孔（9），圆环（3）上设有和圆盘上的螺丝孔对应的螺丝孔（9）。