[发明专利]适用于AMOLED的TFT背板制作方法及结构

摘要

本发明提供一种适用于AMOLED的TFT背板制作方法及结构。该方法包括：步骤1、提供一基板(10)，再沉积一缓冲层(20)；步骤2、在缓冲层(20)上依次形成有源层(30)、及栅极绝缘层(40)；步骤3、对栅极绝缘层(40)进行图案化处理，形成一凹陷部(401)；步骤4、形成开关薄膜晶体管的栅极(50)、及驱动薄膜晶体管的栅极(60)，所述开关薄膜晶体管的栅极(50)位于所述凹陷部(401)；步骤5、沉积层间绝缘层(70)。该方法通过制作一具有高度差的单层栅极绝缘层，简化了TFT背板的制作流程，增加了驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅，提高了AMOLED面板的灰阶切换与控制性能。

主权项

一种适用于AMOLED的TFT背板制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上沉积一缓冲层(20)；步骤2、在所述缓冲层(20)上形成有源层(30)，再在所述有源层(30)及缓冲层(20)上沉积一栅极绝缘层(40)；所述有源层(30)包括开关薄膜晶体管的有源层(302)和驱动薄膜晶体管的有源层(301)；步骤3、对所述栅极绝缘层(40)进行图案化处理，形成一位于所述开关薄膜晶体管的有源层(302)上方的凹陷部(401)，使位于所述开关薄膜晶体管的有源层(302)上方的栅极绝缘层(40)的厚度小于位于所述驱动薄膜晶体管的有源层(301)上方的栅极绝缘层(40)的厚度；步骤4、通过溅射及光刻工艺在所述栅极绝缘层(40)上形成开关薄膜晶体管的栅极(50)、及驱动薄膜晶体管的栅极(60)；所述开关薄膜晶体管的栅极(50)位于所述凹陷部(401)上；步骤5、在所述开关薄膜晶体管的栅极(50)、驱动薄膜晶体管的栅极(60)、及栅极绝缘层(40)上沉积一层间绝缘层(70)。