[发明专利]适用于AMOLED的TFT背板制作方法及结构

权利要求书

1.一种适用于AMOLED的TFT背板制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上沉积一缓冲层(20)；

步骤2、在所述缓冲层(20)上形成有源层(30)，再在所述有源层(30)及缓冲层(20)上沉积一栅极绝缘层(40)；

所述有源层(30)包括开关薄膜晶体管的有源层(302)和驱动薄膜晶体管的有源层(301)；

步骤3、对所述栅极绝缘层(40)进行图案化处理，形成一位于所述开关薄膜晶体管的有源层(302)上方的凹陷部(401)，使位于所述开关薄膜晶体管的有源层(302)上方的栅极绝缘层(40)的厚度小于位于所述驱动薄膜晶体管的有源层(301)上方的栅极绝缘层(40)的厚度；

步骤4、通过溅射及光刻工艺在所述栅极绝缘层(40)上形成开关薄膜晶体管的栅极(50)、及驱动薄膜晶体管的栅极(60)；

所述开关薄膜晶体管的栅极(50)位于所述凹陷部(401)上；

步骤5、在所述开关薄膜晶体管的栅极(50)、驱动薄膜晶体管的栅极(60)、及栅极绝缘层(40)上沉积一层间绝缘层(70)。

2.如权利要求1所述的适用于AMOLED的TFT背板制作方法，其特征在于，还包括步骤6、在所述开关薄膜晶体管的有源层(302)和驱动薄膜晶体管的有源层(301)的相应区域形成开关薄膜晶体管的源/漏极(90)和驱动薄膜晶体管的源/漏极(80)。

3.如权利要求1所述的适用于AMOLED的TFT背板制作方法，其特征在于，所述步骤2包括：

步骤21、在所述缓冲层(20)上沉积一非晶硅层；

步骤22、通过准分子激光退火工艺将所述非晶硅层转化为多晶硅层；

步骤23、图案化所述多晶硅层，再对多晶硅层进行离子掺杂制程，形成包括开关薄膜晶体管的有源层(302)和驱动薄膜晶体管的有源层(301)的有源层(30)；

步骤24、在所述有源层(30)及缓冲层(20)上沉积一栅极绝缘层(40)。

4.如权利要求3所述的适用于AMOLED的TFT背板制作方法，其特征在于，所述步骤24采用化学气相沉积工艺在所述有源层(30)及缓冲层(20)上沉积一栅极绝缘层(40)。

5.如权利要求1所述的适用于AMOLED的TFT背板制作方法，其特征在于，所述基板(10)为透明基板；所述缓冲层(20)包括氧化硅层、氮化硅层之一或其组合；所述栅极绝缘层(40)包括氧化硅层、氮化硅层之一或其组合。

6.如权利要求1所述的适用于AMOLED的TFT背板制作方法，其特征在于，所述步骤3中采用光刻工艺对所述栅极绝缘层(40)进行图案化处理，形成所述位于开关薄膜晶体管的有源层(302)上方的凹陷部(401)。

7.如权利要求2所述的适用于AMOLED的TFT背板制作方法，其特征在于，所述开关薄膜晶体管的栅极(50)、及驱动薄膜晶体管的栅极(60)的材料为钼；所述层间绝缘层(70)包括氧化硅层、氮化硅层之一或其组合；所述开关薄膜晶体管的源/漏极(90)和驱动薄膜晶体管的源/漏极(80)均通过形成于层间绝缘层(70)与栅极绝缘层(40)上的过孔与所述开关薄膜晶体管的有源层(302)和驱动薄膜晶体管的有源层(301)的相应区域接触。

8.一种适用于AMOLED的TFT背板结构，其特征在于，包括：

基板(10)；

设于所述基板(10)上缓冲层(20)；

设于所述缓冲层(20)上的有源层(30)，所述有源层(30)包括开关薄膜晶体管的有源层(302)和驱动薄膜晶体管的有源层(301)；

设于所述有源层(30)及缓冲层(20)上的栅极绝缘层(40)，所述栅极绝缘层(40)对应于所述开关薄膜晶体管的有源层(302)的位置设有一凹陷部(401)；

设于所述凹陷部(401)上的开关薄膜晶体管的栅极(50)、位于所述驱动薄膜晶体管的有源层(301)的上方并设于所述栅极绝缘层(40)上的驱动薄膜晶体管的栅极(60)；

设于所述开关薄膜晶体管的栅极(50)、驱动薄膜晶体管的栅极(60)、及栅极绝缘层(40)上的层间绝缘层(70)。