[发明专利]硅锭以及制造硅锭的方法在审
| 申请号： | 201510028140.4 | 申请日： | 2015-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN104790027A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | N·卡斯帕雷;H-J·舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本公开涉及硅锭以及制造硅锭的方法。硅锭的切克劳斯基生长的方法包括使硅材料与n型掺杂剂材料的混合物在坩埚中熔化。在提取时间段内从熔融硅中提取硅锭。在提取时间段的至少一部分内将硼添加至熔融硅。 | ||
| 搜索关键词： | 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅锭的切克劳斯基生长的方法，所述方法包括：使硅材料与n型掺杂剂材料的混合物在坩埚中熔化；在提取时间段内从熔融硅中提取所述硅锭；以及在所述提取时间段的至少一部分内将硼添加至所述熔融硅。
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