[发明专利]耗尽型MOS管的制造方法及结构有效
| 申请号： | 201510025270.2 | 申请日： | 2015-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN104616995B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 杨文清 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耗尽型MOS管的制造方法，沟道调节注入区由一系列沟道调节注入并退火推进形成；一系列的沟道调节注入中的第一次沟道调节注入的注入能量最大、注入剂量最小，后续每一次沟道调节注入的注入能量递减、注入剂量递加，使每一次沟道调节注入的峰值位置浅于前一次沟道调节注入的峰值位置，最后一次沟道调节注入的峰值位于硅和屏蔽氧化层的界面处或位于屏蔽氧化层内部，使得沟道调节注入区表面浓度最高且浓度向硅体内方向递减，且使得截止状态时在整个沟道调节注入区耗尽前都不会在沟道调节注入区表面形成反型层。本发明还公开了一种耗尽型MOS管。本发明能实现截止状态下对沟道调节注入区完全耗尽，降低截止状态时漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 耗尽 mos 制造 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种耗尽型MOS管的制造方法，其特征在于，在硅衬底中形成第一导电类型阱区之后，在所述硅衬底表面形成屏蔽氧化层，之后进行一系列的第二导电类型的沟道调节注入并退火推进形成沟道调节注入区；一系列的所述沟道调节注入中的第一次沟道调节注入的注入能量最大、注入剂量最小，后续每一次沟道调节注入的注入能量递减、注入剂量递加，使每一次沟道调节注入的峰值位置浅于前一次沟道调节注入的峰值位置，最后一次沟道调节注入的峰值位于硅和屏蔽氧化层的界面处或位于屏蔽氧化层内部，使得所述沟道调节注入区在硅和所述屏蔽氧化层的界面处的浓度最高且浓度向硅体内方向递减，且使得在耗尽型MOS管切换到截止状态时在整个所述沟道调节注入区耗尽前都不会在所述沟道调节注入区表面形成反型层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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