[发明专利]耗尽型MOS管的制造方法及结构

权利要求书

1.一种耗尽型MOS管的制造方法，其特征在于，在硅衬底中形成第一导电类型阱区之后，在所述硅衬底表面形成屏蔽氧化层，之后进行一系列的第二导电类型的沟道调节注入并退火推进形成沟道调节注入区；

一系列的所述沟道调节注入中的第一次沟道调节注入的注入能量最大、注入剂量最小，后续每一次沟道调节注入的注入能量递减、注入剂量递加，使每一次沟道调节注入的峰值位置浅于前一次沟道调节注入的峰值位置，最后一次沟道调节注入的峰值位于硅和屏蔽氧化层的界面处或位于屏蔽氧化层内部，使得所述沟道调节注入区在硅和所述屏蔽氧化层的界面处的浓度最高且浓度向硅体内方向递减，且使得在耗尽型MOS管切换到截止状态时在整个所述沟道调节注入区耗尽前都不会在所述沟道调节注入区表面形成反型层。

2.如权利要求1所述的耗尽型MOS管的制造方法，其特征在于：形成所述沟道调节注入区之后，还包括步骤：

去除所述屏蔽氧化层并依次形成栅介质层和多晶硅栅，所述多晶硅栅通过所述栅介质层覆盖在所述沟道调节注入区表面；

形成第二导电类型重掺杂的源区和漏区，所述沟道调节注入区连接所述源区和漏区。

3.如权利要求1所述的耗尽型MOS管的制造方法，其特征在于：一系列的所述沟道调节注入的能量范围为10kev～80kev，注入剂量范围为1e12cm^-2～1e13cm^-2。

4.如权利要求1所述的耗尽型MOS管的制造方法，其特征在于：耗尽型MOS管为耗尽型NMOS管，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；或者，耗尽型MOS管为耗尽型PMOS管，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

5.一种耗尽型MOS管，其特征在于：沟道调节注入区形成于第一导电类型阱区表面且是由一系列的第二导电类型的沟道调节注入加退火推进形成，所述第一导电类型阱区形成于硅衬底中；

一系列的所述沟道调节注入中的第一次沟道调节注入的注入能量最大、注入剂量最小，后续每一次沟道调节注入的注入能量递减、注入剂量递加，使每一次沟道调节注入的峰值位置浅于前一次沟道调节注入的峰值位置，最后一次沟道调节注入的峰值位于硅和屏蔽氧化层的界面处或位于屏蔽氧化层内部，所述屏蔽氧化层在所述沟道调节注入之前形成于所述硅衬底表面，使得所述沟道调节注入区在硅和所述屏蔽氧化层的界面处的浓度最高且浓度向硅体内方向递减，且使得在耗尽型MOS管切换到截止状态时在整个所述沟道调节注入区耗尽前都不会在所述沟道调节注入区表面形成反型层。

6.如权利要求5所述的耗尽型MOS管，其特征在于,还包括：

栅介质层和多晶硅栅，所述多晶硅栅通过所述栅介质层覆盖在所述沟道调节注入区表面；

形成第二导电类型重掺杂的源区和漏区，所述沟道调节注入区连接所述源区和漏区。

7.如权利要求5所述的耗尽型MOS管，其特征在于：一系列的所述沟道调节注入的能量范围为10kev～80kev，注入剂量范围为1e12cm^-2～1e13cm^-2。

8.如权利要求5所述的耗尽型MOS管，其特征在于：耗尽型MOS管为耗尽型NMOS管，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；或者，耗尽型MOS管为耗尽型PMOS管，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。