[发明专利]基于强耦合小尺寸金纳米棒的光信息存储介质有效
| 申请号： | 201510018511.0 | 申请日： | 2015-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN104681046B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 兰胜;铁绍龙;戴峭峰;路广 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | G11B7/0025 | 分类号： | G11B7/0025;G11B7/24006 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人： | 胡辉 |
| 地址： | 510275 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于强耦合小尺寸金纳米棒的光信息存储介质，直径≤8 nm的GNR膜中GNR密度增加到特定密度之上后，某些GNR的TPL显著提高而其他GNR的TPL显著降低，导致在单个像素中个别金纳米棒的双光子荧光占据了该像素亮度的很大比重。TPL提高的GNR在熔化时所需的激光能量较现有的下降了近100倍，极大地降低了信息写读能量、减小了波长和偏振复用间隔，同时为多次擦写创造了条件，在无需使用多种尺寸金纳米棒以及隔离层的情况下，就能实现波长、偏振、三维空间乃至能量的复用，单张标准DVD大小的GNR膜理论上可以存储20TB以上的数据，有利于实现超高密度光信息存储的实用化和商业化。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 耦合 尺寸 纳米 信息 存储 介质 | ||
【主权项】：
一种超高密度光信息存储介质，所述介质为含有金纳米棒的膜，其特征在于：膜中的金纳米棒的直径不大于8 nm，金纳米棒之间在膜中以可以发生强耦合作用的密度分布，可以发生强耦合作用的金纳米棒密度分布为400～4000根/μm3，所述强耦合作用，是指当金纳米棒的密度提高至某一特定密度之上后，在单个像素中，某些金纳米棒的双光子荧光显著提高而另一些金纳米棒的双光子荧光显著降低，导致在一个像素中个别金纳米棒的双光子荧光占据了该像素亮度的很大比重。
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