[发明专利]基于强耦合小尺寸金纳米棒的光信息存储介质

权利要求书

1.一种超高密度光信息存储介质，所述介质为含有金纳米棒的膜，其特征在于：膜中的金纳米棒的直径不大于8 nm，金纳米棒之间在膜中以可以发生强耦合作用的密度分布，可以发生强耦合作用的金纳米棒密度分布为400～4000根/μm³，所述强耦合作用，是指当金纳米棒的密度提高至某一特定密度之上后，在单个像素中，某些金纳米棒的双光子荧光显著提高而另一些金纳米棒的双光子荧光显著降低，导致在一个像素中个别金纳米棒的双光子荧光占据了该像素亮度的很大比重。

2.根据权利要求1所述的超高密度光信息存储介质，其特征在于：金纳米棒密度分布为800～2000根/μm³。

3.根据权利要求1所述的超高密度光信息存储介质，其特征在于：金纳米棒的密度分布为800～1200根/μm³。

4.根据权利要求1所述的超高密度光信息存储介质，其特征在于：金纳米棒中含有至少两种不同长径比的金纳米棒。

5.根据权利要求1所述的超高密度光信息存储介质，其特征在于：金纳米棒中含有至少两种不同直径的金纳米棒。

6.根据权利要求1所述的超高密度光信息存储介质，其特征在于：金纳米棒的直径为5～8 nm。

7.根据权利要求4所述的超高密度光信息存储介质，其特征在于：不同长径比的金纳米棒具有相同的直径。

8.根据权利要求5所述的超高密度光信息存储介质，其特征在于：不同直径的金纳米棒具有相同的长径比。