[发明专利]沟槽栅蚀刻方法在审
| 申请号： | 201510016216.1 | 申请日： | 2015-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN104616982A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 肖强;罗海辉;杨鑫著;易鹏程;蒋明明;文高 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈伟 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及沟槽栅蚀刻方法，包括以下步骤：在硅衬底上形成不被氧化的掩膜，在硅衬底和掩膜之间形成第一界面，在掩膜的预定区开有露出硅衬底的窗口；对硅衬底进行氧化，在第一界面的与窗口相邻的区域形成二氧化硅区，二氧化硅区与硅衬底之间形成朝向二氧化硅区圆滑凸出的第二界面；在掩膜的遮蔽下，从窗口朝向硅衬底的内部进行蚀刻而形成沟槽，除去掩膜和二氧化硅区，第二界面形成沟槽的顶角区的圆滑过渡。根据本发明的方法，能够方便地实现沟槽顶角的圆化，简化了沟槽栅的制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽栅蚀刻方法，包括以下步骤：在硅衬底上形成不被氧化的掩膜，在所述硅衬底和掩膜之间形成第一界面，在所述掩膜的预定区开有露出硅衬底的窗口，对所述硅衬底进行氧化，在所述第一界面的与所述窗口相邻的区域形成二氧化硅区，所述二氧化硅区与所述硅衬底之间形成朝向所述二氧化硅区圆滑凸出的第二界面，在所述掩膜的遮蔽下，从所述窗口朝向硅衬底的内部进行蚀刻而形成沟槽，除去所述掩膜和二氧化硅区，所述第二界面形成沟槽的顶角区的圆滑过渡。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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