[发明专利]沟槽栅蚀刻方法在审
| 申请号： | 201510016216.1 | 申请日： | 2015-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN104616982A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 肖强;罗海辉;杨鑫著;易鹏程;蒋明明;文高 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈伟 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 蚀刻 方法 | ||
1.一种沟槽栅蚀刻方法，包括以下步骤：
在硅衬底上形成不被氧化的掩膜，在所述硅衬底和掩膜之间形成第一界面，在所述掩膜的预定区开有露出硅衬底的窗口，
对所述硅衬底进行氧化，在所述第一界面的与所述窗口相邻的区域形成二氧化硅区，所述二氧化硅区与所述硅衬底之间形成朝向所述二氧化硅区圆滑凸出的第二界面，
在所述掩膜的遮蔽下，从所述窗口朝向硅衬底的内部进行蚀刻而形成沟槽，
除去所述掩膜和二氧化硅区，所述第二界面形成沟槽的顶角区的圆滑过渡。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜为在所述硅衬底的表面生长的氮化硅层或二氧化硅层。
3.根据权利要求也1或2所述的方法，其特征在于，所述氧化的温度在850到1150摄氏度之间，氧化时间在30-250分钟之间。
4.根据权利要求1到3中任一项所述的方法，其特征在于，以各向异性的蚀刻方式来形成所述沟槽。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述各向异性的蚀刻方式为等离子蚀刻。
6.根据权利要求2到5中任一项所述的方法，其特征在于，以各向同性的蚀刻除去所述掩膜和二氧化硅区。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述各向同性的蚀刻为湿法腐蚀，其中除去所述氮化硅层使用的试剂为磷酸，除去所述二氧化硅层或二氧化硅区使用的试剂为氢氟酸。
8.根据权利要求1到7中任一项所述的方法，其特征在于，在除去所述掩膜和所述二氧化硅区后，将所述沟槽的侧壁进行氧化以形成氧化层，然后以各向同性的蚀刻方式除去所述氧化层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，以热氧化的方式对所述沟槽的侧壁的进行氧化以形成氧化层。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，以湿法腐蚀除去所述氧化层，所使用的试剂为氢氟酸。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
