[发明专利]有机-无机杂化太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201510016012.8 | 申请日： | 2015-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN104617221A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 裴娟;王尚鑫 | 申请（专利权）人： | 河北科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/46;H01L51/44 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 墨伟 |
| 地址： | 050016 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种有机-无机杂化太阳能电池及其制备方法，所述电池的结构中包括FTO导电玻璃、生长在FTO导电玻璃上的TiO2纳米棒阵列、包覆在TiO2纳米棒阵列表面的PEDOT:PSS膜构成的空穴传输层、以及蒸镀在PEDOT:PSS膜上的金属Au，TiO2纳米棒阵列的表面吸附有三苯胺染料、并旋涂有p型有机聚合物聚-3-己基噻吩。本发明提供界面修饰可以改善无机半导体TiO2与有机聚合物P3HT的接触，提高激子在界面处的分离效率，抑制电荷复合，降低暗电流，制得的杂化太阳能电池获得较高的光电转换效率；其制作方法简单、易操作，光电性能改善效果明显，显示出其潜在的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 无机 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种有机‑无机杂化太阳能电池，包括FTO导电玻璃（6）、生长在FTO导电玻璃（6）上的TiO2纳米棒阵列（5）、包覆在TiO2纳米棒阵列（5）表面的PEDOT:PSS膜构成的空穴传输层（2）以及蒸镀在PEDOT:PSS膜上的金电极（1），其特征在于所述TiO2纳米棒阵列（5）的表面吸附有三苯胺染料（4）、并旋涂有p型有机聚合物聚‑3‑己基噻吩膜（3）；所述TiO2纳米棒阵列（5）的厚度为2.5μm，纳米棒粗10~20nm；所述PEDOT:PSS膜的厚度为60 nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北科技大学;，未经河北科技大学;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510016012.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
