[发明专利]氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法

摘要

本发明公开了一种氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法，包括：在氮化镓同质衬底上依次外延生长n型GaN同质外延层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、量子阱有源区、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、p型AlGaN限制层和p型掺杂/p型重掺接触层，其中量子阱有源区中的阱层和垒层在相同的温度下生长；在p型掺杂/p型重掺接触层一侧采用光刻的方法刻蚀出脊型结构；在脊型结构的上表面制作一p型电极；在氮化镓同质衬底的下表面制作n型电极。本发明减少由于阱层和垒层生长温度不同导致的翘曲程度不同以及量子阱界面平整度的下降，从而增强量子阱内载流子的发光复合率，提高激光器的性能。

主权项

一种用于氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法，包括：步骤1、在氮化镓同质衬底的下表面制作n型欧姆电极；步骤2、在氮化镓同质衬底的上表面制作n型同质外延层；步骤3、在n型同质外延层之上制作n型AlGaN限制层；步骤4、在n型AlGaN限制层之上制作n型GaN波导层；步骤5、在n型GaN波导层之上制作InGaN/GaN量子阱有源区，其中量子阱有源区的制作包括在相同的温度下交替外延生长阱层和垒层；步骤6、在InGaN/GaN量子阱有源区之上制作p型AlGaN电子阻挡层；步骤7、在p型AlGaN电子阻挡层之上制作p型GaN波导层；步骤8、在p型GaN波导层之上制作p型AlGaN限制层；步骤9、在p型AlGaN限制层之上制作p型掺杂/p型重掺接触层；步骤10、在p型掺杂/p型重掺接触层的上表面制作p型欧姆电极；步骤11、从p型掺杂/p型重掺接触层的上表面开始制作脊型结构，向下刻蚀至p型AlGaN限制层的上下表面之间，形成脊型结构。