[发明专利]切割方法在审
| 申请号： | 201510011960.2 | 申请日： | 2015-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN105826251A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 刘吉祥;刘煊杰;陈晓军;江卢山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种切割方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括测试区、测试区两侧的隔离区、以及隔离区外侧的核心区，半导体衬底表面形成有器件层、所述器件层表面的互连层和互连层表面的焊垫层，所述焊垫层包括位于测试区、隔离区以及核心区上方的若干焊垫以及覆盖所述焊垫和互连层表面的钝化层；刻蚀所述钝化层，在所述钝化层内形成凹槽，所述凹槽暴露出位于核心区、测试区上方的焊垫表面；依次刻蚀钝化层、互连层和器件层至半导体衬底表面，在隔离区与测试区交界处形成隔离沟槽，将钝化层、互连层、器件层断开；沿测试区进行切割，使测试区两侧的半导体衬底、器件层、互连层和焊垫层相互分离。所述方法可以提高切割后芯片的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种切割方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括测试区、位于测试区两侧的隔离区、以及位于隔离区外侧的核心区，所述半导体衬底表面形成有器件层、位于所述器件层表面的互连层和位于互连层表面的焊垫层，所述焊垫层包括位于测试区、隔离区以及核心区上方的若干焊垫以及覆盖所述焊垫和互连层表面的钝化层；刻蚀所述钝化层，在所述钝化层内形成凹槽，所述凹槽暴露出位于核心区、测试区上方的焊垫表面；依次刻蚀钝化层、互连层和器件层至半导体衬底表面，在隔离区与测试区交界处形成隔离沟槽，将钝化层、互连层、器件层断开；沿隔离沟槽之间的测试区进行切割，使测试区两侧的半导体衬底、器件层、互连层和焊垫层相互分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
