[发明专利]芯片运行状态监测系统及监测方法有效
| 申请号： | 201510011903.4 | 申请日： | 2015-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN105823971B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 杨家奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种芯片运行状态监测系统及监测方法，其中监测系统包括：温度频率传感器，用于感测所述相关联区块的晶片温度，还用于输出能反映所述相关联区块内器件运行快慢的测试频率；存储器，用于存储多个工作温度以及各工作温度相对应的频率范围；识别器，用于判断所述温度频率传感器感测的晶片温度是否为存储器中存储的工作温度，还用于在晶片温度为所述工作温度时，判断温度频率传感器输出的测试频率是否位于与所述工作温度相对应的频率范围内。本发明利用逆变环形振荡器输出频率与芯片运行进程、电压、温度之间的关系，采用温度频率传感器实现了现有技术中工艺、电压、温度3个传感器的功能，减小了芯片监测系统的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 运行 状态 监测 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片运行状态监测系统，所述芯片包括至少一个区块，被监测的区块为相关联区块，其特征在于，所述监测系统包括：温度频率传感器，与所述相关联区块相连，用于感测所述相关联区块的晶片温度，还用于输出能反映所述相关联区块内器件运行快慢的测试频率；存储器，用于存储所述相关联区块的多个工作温度，以及各工作温度相对应的能表征所述相关联区块内器件运行快慢的频率范围；识别器，与所述存储器和所述温度频率传感器相连，用于判断所述温度频率传感器感测的晶片温度是否为存储器中存储的工作温度，在所述晶片温度不是所述工作温度时，判断所述相关联区块运行异常；所述识别器还用于在晶片温度为所述工作温度时，判断温度频率传感器输出的测试频率是否位于与所述工作温度相对应的频率范围内，在所述测试频率不位于所述频率范围内时，判断所述相关联区块运行异常。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510011903.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
