[发明专利]减少焊盘结构结晶缺陷的方法有效
| 申请号: | 201510005746.6 | 申请日: | 2015-01-06 |
| 公开(公告)号: | CN105826183B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
| 发明(设计)人: | 叶星;张校平;代大全 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31 |
| 代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种减少焊盘结构结晶缺陷的方法,通过对位于焊盘凹槽底部的稀薄而疏松的自然氧化物层进行处理后以进一步疏松或去除该自然氧化物层后,向焊盘凹槽底部通入氧气并采用紫外线照射该氧气以形成臭氧环境,臭氧与顶部金属层暴露的表面发生反应以在位于焊盘凹槽底部的顶部金属层表面生成金属氧化物层,且该金属氧化物层的厚度大于自然氧化物层的厚度,由于该金属氧化物层对焊盘结构表面的保护作用,刻蚀钝化层后残留的氟离子无法穿透该金属氧化物层,从而有效减少了焊盘结构的结晶缺陷,进而提升了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词: | 减少 盘结 结晶 缺陷 方法 | ||
【主权项】:
1.一种减少焊盘结构结晶缺陷的方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一表面设置有顶部金属层的衬底;制备一钝化结构覆盖所述顶部金属层的上表面及其侧壁和所述衬底裸露的表面;部分刻蚀所述钝化结构至所述顶部金属层表面以形成焊盘凹槽,并在位于所述焊盘凹槽底部的顶部金属层暴露的表面形成自然氧化层;采用氩轰击的方法对所述自然氧化物层进行预处理工艺疏松该自然氧化物层,使所述自然氧化物层产生暴露所述顶部金属层的空隙,在臭氧环境中形成覆盖位于所述焊盘凹槽底部的顶部金属层暴露的表面以及残留的所述自然氧化物层的金属氧化物层;其中,所述金属氧化物层的厚度大于所述自然氧化物层的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





