[发明专利]减少焊盘结构结晶缺陷的方法有效

专利信息
申请号: 201510005746.6 申请日: 2015-01-06
公开(公告)号: CN105826183B 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 叶星;张校平;代大全 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/31 分类号: H01L21/31
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 俞涤炯
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种减少焊盘结构结晶缺陷的方法,通过对位于焊盘凹槽底部的稀薄而疏松的自然氧化物层进行处理后以进一步疏松或去除该自然氧化物层后,向焊盘凹槽底部通入氧气并采用紫外线照射该氧气以形成臭氧环境,臭氧与顶部金属层暴露的表面发生反应以在位于焊盘凹槽底部的顶部金属层表面生成金属氧化物层,且该金属氧化物层的厚度大于自然氧化物层的厚度,由于该金属氧化物层对焊盘结构表面的保护作用,刻蚀钝化层后残留的氟离子无法穿透该金属氧化物层,从而有效减少了焊盘结构的结晶缺陷,进而提升了器件的性能。
搜索关键词: 减少 盘结 结晶 缺陷 方法
【主权项】:
1.一种减少焊盘结构结晶缺陷的方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一表面设置有顶部金属层的衬底;制备一钝化结构覆盖所述顶部金属层的上表面及其侧壁和所述衬底裸露的表面;部分刻蚀所述钝化结构至所述顶部金属层表面以形成焊盘凹槽,并在位于所述焊盘凹槽底部的顶部金属层暴露的表面形成自然氧化层;采用氩轰击的方法对所述自然氧化物层进行预处理工艺疏松该自然氧化物层,使所述自然氧化物层产生暴露所述顶部金属层的空隙,在臭氧环境中形成覆盖位于所述焊盘凹槽底部的顶部金属层暴露的表面以及残留的所述自然氧化物层的金属氧化物层;其中,所述金属氧化物层的厚度大于所述自然氧化物层的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510005746.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top